三極管的符號(hào)為三角形，MOS管的符號(hào)為有一條短直線的晶體管符號(hào)上下各有兩個(gè)并接的反向箭頭，IGBT的符號(hào)為一條厚線和兩條薄線組成，并在厚線上畫(huà)一條箭頭表示正向電流流動(dòng)方向。

三極管、MOS管和IGBT是半導(dǎo)體元器件,各自具有不同的符號(hào)表示法。

三極管的符號(hào)很簡(jiǎn)單,由一個(gè)代表正極的斜線(/)、一個(gè)代表負(fù)極的圓圈(O)和一個(gè)代表基極的粗直線組成:

/ O

|

MOS管的符號(hào)包含正極、源極和柵極三個(gè)極性。分別用斜線(/)、圓圈(O)和三角形(<>)表示:

/

|

<>

|

O

IGBT的符號(hào)與MOS管類似,加上代表集電極的另一個(gè)斜線:/表示正極,:表示負(fù)極;∪表示集電極;<>表示柵極:

/

|

<> |

|

:

∪

各部分含義為:

/ :正極,Drain對(duì)于MOSFET,Collector對(duì)于IGBT

O:負(fù)極,Source對(duì)于MOSFET,Emitter對(duì)于IGBT

<> :柵極,Gate

∪ :集電極,Collector

其中:

三極管只有正極、負(fù)極和基極。

MOS管有正極、負(fù)極、柵極。

IGBT多了一個(gè)集電極,起到了放大器的作用。

希望以上信息能夠明確元器件的符號(hào)含義。

如有需要,歡迎繼續(xù)提問(wèn)。