概述：LTC4362-2采用8引腳、2mmx3mmDFN封裝。運用準確度為2%的5.8V過壓門限檢測過壓事件，并在1us(最大值)時間內(nèi)快速響應，以隔離下游組件和輸入。高達28V的過壓保護由一個內(nèi)部雪崩額定的低RDS(ON)MOSFET實現(xiàn)，而且在大多數(shù)應用中無需瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)或其它外部組件，就可承受電感電纜瞬態(tài)。此外，LTC4362監(jiān)視一個內(nèi)部電流檢測電阻器兩端的壓降，以提供準確度為20%的1.5A過流門限。

一、LTC4362-2功能和特點：
　在2.5V至5.5V工作，1.2A
過壓保護高達28V
內(nèi)部40mΩN溝道MOSFET和31mΩRSENSE
就大多數(shù)應用而言雪崩額定的MOSFET無需輸入電容器或TVS
<1us的過壓斷開時間，緩慢停機
準確度為2%的5.8V過壓門限
準確度為20%的1.5A過流門限
采用1uFCOUT，輸入可承受高達±25kV的HBMESD
受控制的加電dV/dt限制浪涌電流
電壓反向保護
電源良好輸出
低電流停機(1.5uA)
過流后鎖斷

二、LTC4362-2引腳功能

三、LTC4362-2內(nèi)部方框圖

四、LTC4362-2典型應用電路

五、LTC4362-2極限參數(shù)